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TK35A65W

TK35A65W

作者：网站管理员发布时间：2024-04-20 浏览次数：

TK35A65W应用应用应用应用 • 开关稳压器 2.2. 2.2. 特点特点特点特点（1）低漏源导通电阻：RDS（ON） = 0.068 Ω（典型值），使用超级结结构：DTMOS （2）易于控制栅极切换（3）增强模式：Vth = 2.5 至 3.5 V（VDS = 10 V，ID = 2.1 mA

东芝 DTMOSIV 系列 MOSFET

东芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先进的单外延工艺，可将 R 降低 30%DS（开），MOSFET的品质因数（FOM），与其前身DTMOSIII相比。R 的这种减少DS（开）可以容纳较低的 RDS（开）相同封装的芯片。这有助于提高效率并减小电源的尺寸。东芝DTMOSIV MOSFET是与开关稳压器配合使用的理想选择。

特征

低漏源导通电阻
易于控制的栅极开关
R 降低 30%DS（开）与上一代产品相比
电源开关效率最高

减少 C操作系统
封装选项包括 DPAK、IPAK、D2PAK、8mm x 8mm DFN、I2PAK、TO-220、TO-220SIS、TO-247、TO-3P（N）和 TO-3P（L）

应用

开关电源（SMPS）
照明

功率因数控制（PFC）
工业（包括UPS）

方框图

原理框图 - Toshiba DTMOSIV 系列 MOSFET

附件下载

TK35A65W,S5X_规格书

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