STP110N8F6

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STP110N8F6

作者：网站管理员发布时间：2022-05-10 浏览次数：

产品属性
类型描述

类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET™ F6
包装管件
零件状态在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6.5 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 150 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 9130 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
基本产品编号 STP110