RUM002N02T2L

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RUM002N02T2L

作者：网站管理员发布时间：2022-05-07 浏览次数：

产品属性
类型描述
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 1mA
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 25 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150mW（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 VMT3
封装/外壳 SOT-723
基本产品编号 RUM002