FQD13N06LTM

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FQD13N06LTM

作者：网站管理员发布时间：2022-05-06 浏览次数：

产品属性
类型描述
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 onsemi
系列 QFET®
包装卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 115 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6.4 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 350 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），28W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号 FQD13N06