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SSM3J112TU,LF
TOSHIBA(东芝)
SMD-3P
SSM3J112TU,LF应用范围 :DC-DC 转换器 / 高速开关极性:P 通道内部连接 :单引 脚:3安装:表面贴装宽长高(mm):2.02.10.7
2
SSM3H137TU
TOSHIBA(东芝)
SMD-3P
SSM3H137TU1. 应用 • 继电器驱动器 2.功能 (1)符合 AEC-Q101 (Rev. D) 标准。(2) 4.0V 栅极驱动电压。(3)低漏源导通电阻 :RDS(ON) = 295…
3
SSM14N956L
TOSHIBA(东芝)
TCSPED-302701
SSM14N956L一款12V共漏极N沟道MOSFET,额定电流为20A,主要应用于移动设备锂离子电池组的电池保护电路。为了提高锂离子电池组的安全性,高度稳定…
4
TK18A50D(STA4,Q,M)
TOSHIBA(东芝)
TO-220F-3
TK18A50D(STA4,Q,M)是东芝π-MOS VII MOSFET是10V栅极驱动,单N沟道器件,将π-MOS技术与平面工艺相结合,以提供多种电压和RDS(ON)额定值。这些…
5
SSM10N954L,EFF(S
TOSHIBA(东芝)
TCSPAC-153001
SSM10N954L,EFF(S1. 应用 • 电池保护电路 2.特性 (1 低源源导通电阻 : RSS(ON) = 2.2 mΩ (typ.) (@VGS = 3.8 V) : RSS(ON) = 2.1 m…
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2SK2009(TE85L,F)
TOSHIBA(东芝)
TO-236-3
2SK2009(TE85L,F)• 高输入阻抗。• 低栅极阈值电压:Vth = 0.5 至 1.5 V• 出色的开关时间:ton = 0.06 μs(典型值)toff = 0.12 μs(典型值)…
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2SK1062(TE85L,F)
TOSHIBA(东芝)
SC-59
2SK1062(TE85L,F)• 出色的开关时间:ton = 14 ns(典型值)• 高正向转移容纳:|YFS |= 100 ms(最小值)@ID = 50 mA • 低导通电阻:RDS (ON)…
8
2SJ305TE85LF
TOSHIBA(东芝)
SC-59
2SJ305TE85LF• 高输入阻抗 • 低栅极阈值电压:Vth = −0.5 至 −1.5 V • 出色的开关时间:ton = 0.06 μs(典型值)toff = 0.15 μs(典型值)…
9
2SJ168TE85LF
TOSHIBA(东芝)
SC-59
2SJ168TE85LF• 出色的开关时间:ton = 14 ns(典型值)• 高正向转移容纳:|YFS |= 100 mS(最小值)@ID = −50 mA• 低导通电阻:RDS (ON) =…
10
SSM3J331R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23-3
SSM3J331R MOSFET硅P沟道MOS(U-MOS)■1.5V栅极驱动电压
11
2SJ168TE85LF
TOSHIBA(东芝)
SC-59
2SJ168TE85LF• 出色的开关时间:ton = 14 ns(典型值)• 高正向转移容纳:|YFS |= 100 mS(最小值)@ID = −50 mA • 低导通电阻:RDS (ON) …
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SSM3J133TU
TOSHIBA(东芝)
SMD-3P
SSM3J133TU电源管理开关应用• 1.5V 驱动 • 低导通电阻:RDS(ON) = 88.4 mΩ(最大值) (@VGS = -1.5 V)RDS(ON) = 56.0 mΩ(最大值) (…
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TCR3UM185A
TOSHIBA/东芝
DFN-4
东芝TCR3UM 300mA低压差稳压器是具有开/关控制输入的CMOS通用单输出稳压器。TCR3UM185A具有超低静态偏置电流和低压差。LDO 支持 0.8V 至 5.0V 的…